Samsung duplicará su producción de HBM4 el próximo año

Samsung multiplicaría por más de dos su producción de DRAM HBM4 y HBM4E el año próximo, según fuentes citadas por Sedaily. La memoria de alto ancho de banda es crítica para los aceleradores de IA, porque alimenta a las GPU con datos a velocidades extremas. Una producción mayor de HBM4 contribuiría a aliviar los cuellos de botella de memoria que limitan el entrenamiento y la inferencia, sobre todo con la demanda de modelos de lenguaje grandes e IA generativa en pleno crecimiento. El movimiento también endurece la competencia con SK Hynix y Micron en el mercado de memoria de alto ancho de banda. HBM4 es la siguiente generación de memoria apilada, y promete más ancho de banda, mayor capacidad y mejor eficiencia energética. Los chips de IA de Nvidia y de otros fabricantes dependen de HBM para mantener alimentados a procesadores muy potentes. A medida que los modelos crecen, la memoria dejó de ser un componente commodity y se volvió un recurso estratégico. Samsung viene enfrentando dificultades en las últimas generaciones de HBM, pero una expansión fuerte de capacidad podría ayudarle a recuperar terreno. Duplicar la producción exigirá empaquetado avanzado, mejoras de rendimiento (yield) e inversión de capital significativa. Si sale bien, la jugada podría aliviar la escasez y sostener la próxima ola de data centers de IA. Aun así, la demanda podría seguir superando a la oferta. La expansión también tiene implicancias geopolíticas, ya que las cadenas de suministro de memoria están concentradas en Corea del Sur y cada vez más observadas por los gobiernos. Para los proveedores de nube, las startups de IA y los diseñadores de chips, los planes de Samsung podrían marcar costos y disponibilidad. La carrera por la HBM4 es hoy una de las competencias más importantes de la infraestructura de IA.